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商品名稱：【PHILIPS】SPB1661過載防護型6開6插3孔延長線(1.8米)

商品型號：SPB1661 WA/BA

商品顏色：白色/黑色

額定電壓：125V

電流功率：15A

最大使用功率：1650W

接地線：綠色線

商品線長：1.8米(6呎)

插座：3P(插孔) x 6插座(組)

尺寸：29*5.6*2.4(cm)

驗證登錄：R41087

製造地：台灣

過載保護：超過15A，自動切斷電源#

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三星稍早確定提前三個月完成基於LLP技術的8nm FinFET製程驗證，並且確認將繼續與Qualcomm合作。 分享   facebook     由於8nm製程一樣基於與10nm FinFET製程相同的LLP技術，因此整體產能與良率將可大幅提昇，同時相比10nm FinFET製程約可讓晶片體積縮減10%，並且降低10%電力功耗。 #div-gpt-ad-1503996040247-0 iframe { margin:auto; display: block; }

 #div-gpt-ad-1503996040247-0 > div { margin: auto; display: block !important; }同時，在此次聲明再次獲得Qualcomm背書情況下，預期下一款Snapdragon高階處理器依然將由三星代工生產。就先前的說法，Qualcomm預計在年底前揭曉的新款處理器應該就是Snapdragon 845，而傳聞將恢復與台積電合作，並且以7nm FinFET製程、EUV (Extreme Ultraviolet，極紫光微影)技術，似乎可能用於明年計畫公布的Snapdragon 855。但在三星聲明中，同時也強調目前已經著手布局7nm FinFET製程，因此即便台積電目前已經喊出進入7nm FinFET製程發展，若今年底準備推出的高階處理器仍以8nm FinFET製程為主，預計明年下半年推出的處理器是否交由台積電代工，似乎又很難說了。畢竟，若以目前與三星持續合作關係之下，難保會延續雙方現有合作。不過，從三星、台積電等均先後進駐10nm以下製程發展，不禁再次想到Qualcomm日前回應說法，即使Intel處理器能往更小製程進展，本身處理器產品至少也會在製程技術領先至少一個世代以上?

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